Session 3

mercredi 9 septembre 2026

Conférence, Oral

• S3 • 10h40 > 12h40 • Session 3 • Pedro Arrupe 02

10h40 • INV-3 • A new parametrization for the electronic stopping cross section > J. Johan MEERSSCHAUT (Leuven) 11h20 • #03 • Étude en microphotoluminescence et ODMR de centres colorés du 4H SiC pour les technologies quantiques > J. Jérôme TRIBOLLET (Strasbourg) 11h40 • #05 • Formation of ultra-thin SC silicide layers: a medium-energy ion scattering study > A. André VANTOMME (Leuven) 12h00 • #11 • Rôle du couplage impuretés–défauts dans la structure électronique des oxydes à large bande interdite déposés par ALD > B. Bingbing XIA (Paris) 12h20 • #09 • Analyse par faisceaux d’ions : contribution à l’étude de la résistance à l’oxydation à haute température d’alliages commerciaux de titane α et quasi-α pour l’aéronautique > L. Luc LAVISSE (Dijon)